MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQA470CEJW-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 2.25 A, SC-70 de 7 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
225-9938
Nº ref. fabric.:
SQA470CEJW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

N-Channel 30 V

Encapsulado

SC-70

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

95mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.6nC

Tensión directa Vf

0.75V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Disipación de potencia máxima Pd

13.6W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

2.05 mm

Longitud

2.05mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

El Vishay Siliconix mantiene los datos de fiabilidad para la tecnología de semiconductores y la fiabilidad del encapsulado representa un compuesto de todas las ubicaciones cualificadas.

MOSFET de potencia TrenchFET

Certificación AEC-Q101

Terminales de flanco sumergibles

100 % Rg y UIS probados

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