MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 40 V, ID 81.2 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

759,00 €

(exc. IVA)

918,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 6000 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,253 €759,00 €

*precio indicativo

Código RS:
228-2891
Nº ref. fabric.:
SIJA74DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

81.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SO-8

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.99mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

46.2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El TrenchFET de canal N Vishay es un MOSFET de 40 V.

100 % Rg y UIS probados

Enlaces relacionados