MOSFET Vishay, N-Canal SiR186LDP-T1-RE3, VDSS 60 V, ID 80.3 A, PowerPAK SO-8, Mejora de 8 pines
- Código RS:
- 228-2896
- Nº ref. fabric.:
- SiR186LDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 228-2896
- Nº ref. fabric.:
- SiR186LDP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 60 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 80.3 A | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.0044 Ω | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Serie | TrenchFET | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 60 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 80.3 A | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.0044 Ω | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Serie TrenchFET | ||
The Vishay TrenchFET N-channel is 60 V MOSFET.
100 % Rg and UIS tested
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