MOSFET, N-Canal Vishay SQJ126EP-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 500 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
228-2950
Nº ref. fabric.:
SQJ126EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

500A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.94mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

500W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

101nC

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El canal N de automoción Vishay TrenchFET es un MOSFET de alimentación de 30 V.

100 % Rg y UIS probados

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