MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPC50N04S55R8ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

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Código RS:
229-1830
Nº ref. fabric.:
IPC50N04S55R8ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SuperSO

Serie

IPC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.8mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

42W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

5.58 mm

Longitud

5.25mm

Altura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

40 V, canal N, 0,9 mΩ máx., MOSFET de automoción, PQNF, OptiMOSTM-6


Infineon presenta su última tecnología MOS de potencia OptiMOSTM6 de 40 V en el encapsulado inalámbrico SS08 de 5 x 6 mm2 con el más alto nivel de calidad y robustez para aplicaciones de automoción. Una cartera de 16 productos (RDSon_max de 0,8 mΩ a 4,4 mΩ aborda toda la gama de aplicaciones desde aplicaciones de baja potencia, por ejemplo, aplicaciones de cuerpo hasta aplicaciones de alta potencia, por ejemplo, EPS) que permite al cliente encontrar el mejor producto para sus aplicaciones.

Todo esto permite el mejor producto de su clase FOM (RDSon x Qg) y rendimiento en el mercado. El nuevo producto SS08 ofrece una corriente nominal continua de 120 A, que es >Un 25 % más alto que el DPAK estándar en casi la mitad de su área de huella.

Además, la nueva generación del encapsulado SS08 permite un rendimiento de conmutación superior y un comportamiento EMI gracias a la muy baja inductancia del encapsulado (inductividad del encapsulado ≈4x inferior frente a los encapsulados tradicionales, por ejemplo, DPAK, D2PAK) mediante el uso de la nueva tecnología de intercontacto de pinza de cobre.

Resumen de las características


•OptiMOSTM - MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción

•Canal N - Modo de mejora - Nivel normal

•Calificación AEC Q101

•MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C

•Temperatura de funcionamiento de 175 °C

•Producto ecológico (compatible con RoHS)

•100 % probado en avalancha

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