MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IPG20N04S409ATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble canal

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
229-1841
Nº ref. fabric.:
IPG20N04S409ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SuperSO

Serie

IPG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Disipación de potencia máxima Pd

54W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

28nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Doble canal N Nivel normal

Longitud

5.15mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Altura

1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de nivel normal de canal N doble Infineon tiene el mismo rendimiento térmico y eléctrico que un DPAK con el mismo tamaño de matriz. Su almohadilla expuesta proporciona una excelente transferencia térmica. Se trata de dos canales n en un encapsulado con 2 bastidores de cable aislados.

Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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