Transistor de potencia Infineon, N-Canal IPG20N04S4L11AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO, Mejora de 8 pines, 2, config.
- Código RS:
- 229-1845
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 15 unidades)*
17,28 €
(exc. IVA)
20,91 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4950 unidad(es) más para enviar a partir del 07 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 1,152 € | 17,28 € |
| 75 - 135 | 1,095 € | 16,43 € |
| 150 - 360 | 1,048 € | 15,72 € |
| 375 - 735 | 1,003 € | 15,05 € |
| 750 + | 0,933 € | 14,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-1845
- Nº ref. fabric.:
- IPG20N04S4L11AATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | Transistor de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 20A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPG | |
| Encapsulado | SuperSO | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11.6mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 41W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 20nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Anchura | 5.9mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101 | |
| Longitud | 5.15mm | |
| Altura | 1mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto Transistor de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 20A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPG | ||
Encapsulado SuperSO | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11.6mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 41W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Anchura 5.9mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101 | ||
Longitud 5.15mm | ||
Altura 1mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de nivel lógico de canal N doble Infineon es posible para inspección óptica automática. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.
Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101
Enlaces relacionados
- Transistor de potencia Infineon VDSS 40 V SuperSO 2, config. Doble
- Transistor de potencia Infineon VDSS 40 V SuperSO 2,
- Transistor de potencia Infineon VDSS 40 V SuperSO 2, config. Doble N
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SuperSO de 8 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, SuperSO de 8 pines