Transistor de potencia Infineon, Tipo N-Canal IPG20N04S4L11AATMA1, VDSS 40 V, ID 20 A, SuperSO, Mejora de 8 pines, 2,

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Código RS:
229-1845
Nº ref. fabric.:
IPG20N04S4L11AATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistor de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SuperSO

Serie

IPG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Disipación de potencia máxima Pd

41W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1mm

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Longitud

5.15mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de nivel lógico de canal N doble Infineon es posible para inspección óptica automática. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C y se ha probado un 100 % de avalancha.

Cumple con RoHS y tiene certificación AEC Q101

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