MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 30 V, ID 263 A, P, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
229-6464
Nº ref. fabric.:
NTMFS002P03P8ZT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

263A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

NTK

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

P

Tensión directa Vf

-1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

138.9W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

217nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.3mm

Altura

5.3mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.1 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET DE potencia DE canal N ON Semiconductor tiene una resistencia de estado de conexión ultrabaja. Tiene 226 A de corriente de drenaje. Se utiliza en el interruptor de carga de potencia y en la gestión de la batería.

Mejorar la eficiencia del sistema

Ahorro de espacio

Excelente conducción térmica

Sin plomo

Sin halógenos/sin BFR

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