MOSFET, N-Canal onsemi NTMFS008N12MCT1G, VDSS 120 V, ID 79 A, P, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 229-6467
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS008N12MCT1G
- Fabricante:
- onsemi
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 5 unidades)*
12,52 €
(exc. IVA)
15,15 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 17 de septiembre de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,504 € | 12,52 € |
| 50 - 95 | 2,158 € | 10,79 € |
| 100 - 495 | 1,872 € | 9,36 € |
| 500 - 995 | 1,644 € | 8,22 € |
| 1000 + | 1,496 € | 7,48 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 229-6467
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS008N12MCT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 79A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 120V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | NTMF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20mΩ | |
| Modo de canal | P | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 102W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 5.3mm | |
| Anchura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 79A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 120V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie NTMF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20mΩ | ||
Modo de canal P | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 102W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 5.3mm | ||
Anchura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El encapsulado DE cable plano MOSFET DE potencia de canal N ON Semiconductor está diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Se utiliza para fuentes de alimentación de conmutación, interruptores de alimentación, gestión de batería y protección.
Minimiza las pérdidas de conducción
Minimice las pérdidas del conductor
En conformidad con RoHS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 120 V P, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V P, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V P, SO-8 de 8 pines
- MOSFET onsemi VDSS 30 V SO-8FL 1, config. Simple
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, SO-8FL de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V P, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V P, SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS -20 V, SO-8 de 8 pines