MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 120 V, ID 79 A, P, SO-8 de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

1.642,50 €

(exc. IVA)

1.987,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 11 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +1,095 €1.642,50 €

*precio indicativo

Código RS:
229-6466
Nº ref. fabric.:
NTMFS008N12MCT1G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

79A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Serie

NTMF

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

P

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

102W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.3mm

Anchura

1.1 mm

Altura

5.3mm

Estándar de automoción

No

El encapsulado DE cable plano MOSFET DE potencia de canal N ON Semiconductor está diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Se utiliza para fuentes de alimentación de conmutación, interruptores de alimentación, gestión de batería y protección.

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimice las pérdidas del conductor

En conformidad con RoHS

Enlaces relacionados