MOSFET, N-Canal onsemi, VDSS 120 V, ID 79 A, P, SO-8 de 8 pines

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Código RS:
229-6466
Nº ref. fabric.:
NTMFS008N12MCT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

79A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

SO-8

Serie

NTMF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

20mΩ

Modo de canal

P

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

102W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

33nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

5.3mm

Anchura

1.1mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.3mm

Estándar de automoción

No

El encapsulado DE cable plano MOSFET DE potencia de canal N ON Semiconductor está diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Se utiliza para fuentes de alimentación de conmutación, interruptores de alimentación, gestión de batería y protección.

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimice las pérdidas del conductor

En conformidad con RoHS

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