Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	237A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Encapsulado	SO-8
	Serie	NTMFS
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.4mΩ
	Modo de canal	N
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	128W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	93nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Altura	5.3mm
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	6.3mm
	Anchura	1.1 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 237A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Encapsulado SO-8
	Serie NTMFS
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 8
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ
	Modo de canal N
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 128W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 93nC
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Altura 5.3mm
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 6.3mm
	Anchura 1.1 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - NTMFS5C426NLT1G

El MOSFET DE potencia de canal N ON Semiconductor tiene baja resistencia de estado de conexión y carga de puerta baja. Tiene 237 A de corriente de drenaje. Se utiliza en módulos de punto de carga, convertidores dc-dc de alto rendimiento y accionamiento de motor dc.

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimiza las pérdidas de conmutación

Ahorro de espacio, térmicamente mejorado

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 237 A, N, SO-8 de 8 pines

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