MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVTFS4C02NWFTAG, VDSS 30 V, ID 162 A, N, WDFN de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

13,34 €

(exc. IVA)

16,14 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 1495 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 452,668 €13,34 €
50 - 952,302 €11,51 €
100 +1,994 €9,97 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
229-6508
Nº ref. fabric.:
NVTFS4C02NWFTAG
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

162A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

WDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.25mΩ

Modo de canal

N

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

107W

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

3.15mm

Altura

3.15mm

Anchura

0.8 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia industrial ON Semiconductor en un encapsulado de cable plano de 8 x 8 mm diseñado para diseños compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Flanco sumergible capaz de mejorar la inspección óptica. Se utiliza en la protección de la batería del inversor, fuentes de alimentación conmutadas e interruptores de alimentación.

Diseño compacto

Minimiza las pérdidas de conducción

Minimice las pérdidas del conductor

Inspección óptica mejorada

Enlaces relacionados