MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTTFS012N10MDTAG, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, WDFN de 8 pines
- Código RS:
- 244-9189
- Nº ref. fabric.:
- NTTFS012N10MDTAG
- Fabricante:
- onsemi
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*precio indicativo
- Código RS:
- 244-9189
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- NTTFS012N10MDTAG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | WDFN | |
| Serie | NTT | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado WDFN | ||
Serie NTT | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET DE ON Semiconductor se utiliza como interruptor principal en convertidor dc-dc aislado, rectificación síncrona (SR) en dc-dc y ac-dc, adaptadores ac-dc (USB PD) SR, interruptor de carga, interruptor de intercambio directo y junta tórica, motor BLDC e inversor solar.
Tecnología MOSFET de puerta apantallada
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
QRR bajo, diodo de cuerpo de recuperación suave
Bajo QOSS para mejorar la eficiencia de carga ligera
Estos dispositivos no contienen plomo, no contienen halógenos/BFR, no contienen berilio y son conformes con RoHS