MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS5C645NT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN de 5 pines

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Código RS:
244-9185
Nº ref. fabric.:
NTMFS5C645NT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

DFN

Serie

NTM

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20.4nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La tensión de drenaje a fuente del MOSFET ON Semiconductor es de 60 V y la tensión puerta a fuente es de ±20 V.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Estos dispositivos no contienen plomo y son conformes con RoHS

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