MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN-5 de 5 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
244-9181
Nº ref. fabric.:
NTMFS3D2N10MDT1G
Fabricante:
onsemi
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NTM

Encapsulado

DFN-5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

48nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

Pb-Free, RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET ON Semiconductor se utiliza como interruptor principal en convertidor dc-dc aislado, rectificación síncrona (SR) en dc-dc y ac-dc, adaptadores ac-dc (USB PD) SR, interruptor de carga, intercambio directo, interruptor de junta tórica, motor BLDC e inversor solar. La tensión de drenador a fuente y la tensión de puerta a fuente para este MOSFET es de 100 V y ±20 V respectivamente.

Tecnología MOSFET de puerta apantallada

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

QRR bajo, diodo de cuerpo de recuperación suave

Bajo QOSS para mejorar la eficiencia de carga ligera

Estos dispositivos no contienen plomo, no contienen halógenos/BFR, no contienen berilio y son conformes con RoHS

Enlaces relacionados