MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTD5C632NLT4G, VDSS 1200 V, ID 58 A, TO-252 de 5 pines
- Código RS:
- 244-9180
- Nº ref. fabric.:
- NTD5C632NLT4G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,76 € | 3,52 € |
| 20 - 198 | 1,52 € | 3,04 € |
| 200 - 998 | 1,315 € | 2,63 € |
| 1000 + | 1,15 € | 2,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-9180
- Nº ref. fabric.:
- NTD5C632NLT4G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislation and Compliance
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | NTD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 78nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie NTD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 78nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET DE canal N ON Semiconductor tiene una tensión de drenador a fuente de 60 V y una tensión de puerta a fuente de 20 V.
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
Estos dispositivos no contienen plomo, sin halógenos/sin BFR y son conformes con RoHS