MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS002N10MCLT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines
- Código RS:
- 248-5822
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS002N10MCLT1G
- Fabricante:
- onsemi
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 248-5822
- Nº ref. fabric.:
- NTMFS002N10MCLT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 58A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | NTM | |
| Encapsulado | DFN-5 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 22mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 45nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 117W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 58A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie NTM | ||
Encapsulado DFN-5 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 45nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 117W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET ON Semiconductor es un MOSFET de canal N con tensión de drenaje a fuente de 100 V, RDS(ON) de 2,8 mohm y corriente de drenaje continua de 175 A. Además, estos dispositivos son sin plomo, sin halógenos/sin BFR, sin berilio y son conformes con RoHS.
Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para un diseño compacto
Bajo RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción
Bajo QG y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador