MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMFS002N10MCLT1G, VDSS 1200 V, ID 58 A, Mejora, DFN-5 de 5 pines

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Código RS:
248-5822
Nº ref. fabric.:
NTMFS002N10MCLT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

58A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Serie

NTM

Encapsulado

DFN-5

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

22mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

22 V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

117W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

45nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET ON Semiconductor es un MOSFET de canal N con tensión de drenaje a fuente de 100 V, RDS(ON) de 2,8 mohm y corriente de drenaje continua de 175 A. Además, estos dispositivos son sin plomo, sin halógenos/sin BFR, sin berilio y son conformes con RoHS.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para un diseño compacto

Bajo RDS(on) para minimizar las pérdidas de conducción

Bajo QG y capacitancia para minimizar las pérdidas de controlador

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