Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	onsemi
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	58A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	1200V
	Encapsulado	DFN
	Serie	NTM
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	22mΩ
	Modo de canal	N
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	22 V
	Disipación de potencia máxima Pd	117W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	20.4nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca onsemi
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 58A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V
	Encapsulado DFN
	Serie NTM
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 5
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 22mΩ
	Modo de canal N
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 22 V
	Disipación de potencia máxima Pd 117W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 20.4nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

La tensión de drenaje a fuente del MOSFET ON Semiconductor es de 60 V y la tensión puerta a fuente es de ±20 V.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Estos dispositivos no contienen plomo y son conformes con RoHS

MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 58 A, N, DFN de 5 pines

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