MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 354 A, Mejora, HDSOP de 16 pines

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Código RS:
233-4376
Nº ref. fabric.:
IPTC015N10NM5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

354A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

HDSOP

Serie

IPTC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

16

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

166nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.35mm

Longitud

10.1mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

10.3 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon IPTC015N10NM5 forma parte del MOSFET de potencia OptiMOS 5 en TOLT en el encapsulado DE refrigeración lateral TOP TO-emplomado para un rendimiento térmico superior. Este innovador encapsulado, combinado con las características clave de la tecnología OptiMOS 5, permite los mejores productos de su clase en 100 V, así como alta corriente nominal de 300 A para diseños de alta densidad de potencia. Con la configuración de refrigeración lateral de TOP, el drenaje se expone en la superficie del encapsulado y el 95% de la disipación de calor se puede promover directamente al disipador térmico, logrando un 20% mejor de RthJA y un 50% mejor de RthJC en comparación con el paquete DE PEAJE. Con encapsulados de refrigeración lateral inferior como TOLL o D2PAK, el calor se disipa a través de la PCB al disipador térmico, lo que provoca altas pérdidas de potencia.

Stand-off negativo

Ahorro en el sistema de refrigeración

Mayor eficiencia del sistema, lo que permite una mayor duración de la batería

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