MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 279 A, Mejora, HDSOP de 16 pines
- Código RS:
- 233-4379
- Nº ref. fabric.:
- IPTC019N10NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 1800 unidades)*
3.922,20 €
(exc. IVA)
4.746,60 €
(inc.IVA)
Añade 1800 unidades para conseguir entrega gratuita
Agotado temporalmente
- Envío desde el 23 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 1800 + | 2,179 € | 3.922,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 233-4379
- Nº ref. fabric.:
- IPTC019N10NM5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 279A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | HDSOP | |
| Serie | IPTC | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 16 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.9mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 128nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.35mm | |
| Anchura | 10.3 mm | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 279A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado HDSOP | ||
Serie IPTC | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 16 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.9mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 128nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.35mm | ||
Anchura 10.3 mm | ||
Longitud 10.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon IPTC019N10NM5 forma parte del MOSFET de potencia OptiMOS 5 en TOLT en el encapsulado DE refrigeración lateral TOP TO-emplomado para un rendimiento térmico superior. Este innovador encapsulado, combinado con las características clave de la tecnología OptiMOS 5, permite los mejores productos de su clase en 100 V, así como alta corriente nominal de 300 A para diseños de alta densidad de potencia. Con la configuración de refrigeración lateral de TOP, el drenaje se expone en la superficie del encapsulado y el 95% de la disipación de calor se puede promover directamente al disipador térmico, logrando un 20% mejor de RthJA y un 50% mejor de RthJC en comparación con el paquete DE PEAJE. Con encapsulados de refrigeración lateral inferior como TOLL o D2PAK, el calor se disipa a través de la PCB al disipador térmico, lo que provoca altas pérdidas de potencia.
Stand-off negativo
Ahorro en el sistema de refrigeración
Mayor eficiencia del sistema, lo que permite una mayor duración de la batería
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, HDSOP de 16 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HDSOP de 16 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, HDSOP de 16 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HDSOP de 16 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, HDSOP de 16 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HDSOP de 16 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, HDSOP de 16 pines
- MOSFET VDSS 80 V Mejora, HDSOP de 16 pines