MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 1200 V, ID 68 A, N, TO-247 de 4 pines
- Código RS:
- 233-6853
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
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- 233-6853
- Nº ref. fabric.:
- NTH4L022N120M3S
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 68A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | NTH | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -0.45 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 151nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 325W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Longitud | 15.8mm | |
| Altura | 41.36mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 68A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie NTH | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -0.45 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 151nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 325W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Longitud 15.8mm | ||
Altura 41.36mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) – EliteSiC, 22 mohm, 1.200 V, M3S, TO-247-4L
EL ON Semiconductor NTH4L022N120M3S es un MOSFET de canal N sencillo de alimentación SiC. Está disponible en un encapsulado TO247-4L. Con una tensión de drenador a fuente de 1200 V y una corriente de drenaje continua de 68 A, el NTH4L022N120M3S se utiliza en aplicaciones como inversores solares, estaciones de carga de vehículos eléctricos, SAI (fuentes de alimentación ininterrumpida), sistemas de almacenamiento de energía, SMPS (fuentes de alimentación de modo conmutado).
El RDS(on) típico para este dispositivo es de 22 mꭥ con VGS de 18 V.
El dispositivo ofrece bajas pérdidas de conmutación
Se ha probado con un 100 % de avalancha
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