MOSFET Infineon BSC074N15NS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines

Los MOSFET de canal N Infineon OptiMOS™ en encapsulado SuperSO8 amplían la gama de productos OptiMOS™ 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia además de una mayor solidez, lo que responde a la necesidad de reducir el coste del sistema y aumentar el rendimiento. La baja carga de recuperación inversa (Qrr) mejora la fiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del sobreimpulso de tensión, lo que minimiza la necesidad de circuitos amortiguadores, lo que reduce los costes y el esfuerzo de ingeniería. Tiene una corriente de drenaje continua máxima de 114A A y una tensión de fuente de drenaje máxima de 150V V. Es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.

La RDS(on) más baja permite la máxima densidad de potencia y eficiencia
Temperatura de funcionamiento nominal superior hasta 175 °C para mayor fiabilidad
Bajo RthJC para un excelente comportamiento térmico
Carga de recuperación inversa inferior (Qrr)
Resistencia de conexión RDS(on) muy baja
Carga de recuperación inversa muy baja (Qrr)
Chapado de cable sin plomo
En conformidad con RoHS