MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC074N15NS5ATMA1, VDSS 150 V, ID 114 A, N, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 234-6989
- Nº ref. fabric.:
- BSC074N15NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,355 € | 8,71 € |
| 10 - 18 | 3,835 € | 7,67 € |
| 20 - 48 | 3,57 € | 7,14 € |
| 50 - 98 | 3,355 € | 6,71 € |
| 100 + | 3,09 € | 6,18 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 234-6989
- Nº ref. fabric.:
- BSC074N15NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 114A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Serie | BSC | |
| Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.2mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 46W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.2mm | |
| Anchura | 6.1 mm | |
| Longitud | 5.35mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 114A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Serie BSC | ||
Encapsulado SuperSO8 5 x 6 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.2mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 46W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.2mm | ||
Anchura 6.1 mm | ||
Longitud 5.35mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de canal N de Infineon OptiMOSTM en encapsulado SuperSO8 amplían la cartera de productos OptiMOSTM 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia además de mejorar la robustez, respondiendo a la necesidad de un coste del sistema más bajo y un mayor rendimiento. La carga de recuperación inversa baja (Qrr) mejora la fiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del exceso de tensión, lo que minimiza la necesidad de circuitos de desconexión, lo que resulta en menos costes y esfuerzos de ingeniería. Tiene una corriente de drenaje continua máxima de 114 A y una tensión de fuente de drenaje máxima de 150 V. Es ideal para conmutación de alta frecuencia y rectificación síncrona.
El RDS(on) más bajo permite la mayor densidad de potencia y eficiencia
Temperatura de funcionamiento nominal superior a 175 °C para mayor fiabilidad
RthJC bajo para un excelente comportamiento térmico
Carga de recuperación inversa inferior (Qrr)
RDS(on) de resistencia encendida muy baja
Carga de recuperación inversa muy baja (Qrr)
Tiene chapado de cable sin plomo.
Conforme a RoHS
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