MOSFET Infineon ISC028N04NM5ATMA1, VDSS 40 V, ID 121 A., TDSON-8 FL de 8 pines

El MOSFET de canal N de transistor de potencia Infineon OptiMOS 5 tiene una tensión de ruptura de fuente de drenaje de 40V V y una corriente de drenaje continua de 121A A. Este producto ofrece una solución de referencia para aplicaciones que requieren capacidad de accionamiento de nivel normal (tensión de umbral superior). El valor Vth alto de la gama de niveles normales ofrece inmunidad frente a conexión falsa debido a entornos ruidosos. Además, las relaciones QGD/QGS inferiores reducen el Peak de los picos de tensión de puerta, lo que contribuye aún más a la solidez contra el encendido no deseado.

Aplicación de alimentación por batería
Controladores de motor LV
Resistencia de conexión muy baja RDS(on)
100 % a prueba de avalancha
Temperatura de unión de 175 °C.
Resistencia térmica superior
Carga de puerta baja
Pérdidas de conmutación reducidas
Adecuado para funcionar a frecuencias más altas
Canal N.
Chapado de cable sin plomo
En conformidad con RoHS
Libre de halógenos según IEC61249-2-21