MOSFET, Tipo N-Canal Renesas Electronics RJK0391DPA-00#J5A, VDSS 30 V, ID 50 A, Mejora, WPAK de 8 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
234-7153
Nº ref. fabric.:
RJK0391DPA-00#J5A
Fabricante:
Renesas Electronics
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Marca

Renesas Electronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

BEAM

Encapsulado

WPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0029Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

34nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

50W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

5.9 mm

Altura

0.85mm

Certificaciones y estándares

Pb-Free, Halogen-Free

Longitud

6.1mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia única de canal N de Renesas Electronics es adecuado para aplicaciones de conmutación y conmutación de carga. Tiene una alta tensión de ruptura de 30 V. Es capaz de accionar una puerta de 4,5 V.

Conmutación de alta velocidad

Corriente de accionamiento baja

Montaje de alta densidad

Baja resistencia de conexión

Sin plomo

Sin halógenos

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