MOSFET Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY, VDSS 60 V, ID 100 A
- Código RS:
- 264-1238
- Nº ref. fabric.:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics
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Precio unitario (En un Tubo de 800)
3,114 €
(exc. IVA)
3,768 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 800 + | 3,114 € | 2.491,20 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 264-1238
- Nº ref. fabric.:
- NP100P06PDG-E1-AY
- Fabricante:
- Renesas Electronics
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
Renesas Electronics proporciona una potencia de baja tensión con transistor de efecto de campo MOS de tipo canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Consta de una corriente de drenaje máxima de 100 A.
La tensión de fuente de drenaje máxima es de 60 V
El tipo de montaje es de montaje en superficie
El tipo de montaje es de montaje en superficie
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | P |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 60 V |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
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