MOSFET, Tipo P-Canal Renesas Electronics NP100P06PDG-E1-AY, VDSS 60 V, ID 100 A, P, MP-25ZP (TO-263) de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
264-1239
Nº ref. fabric.:
NP100P06PDG-E1-AY
Fabricante:
Renesas Electronics
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Marca

Renesas Electronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

MP-25ZP (TO-263)

Serie

NP100P06PDG

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.1mΩ

Modo de canal

P

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

200W

Tensión directa Vf

1.5V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

300nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

AEC-Q101

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
MY
Renesas Electronics proporciona una potencia de baja tensión con transistor de efecto de campo MOS de tipo canal P diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente. Consta de una corriente de drenaje máxima de 100 A.

La tensión de fuente de drenaje máxima es de 60 V

El tipo de montaje es de montaje en superficie

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