MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6000ENHTB1, VDSS 600 V, ID 500 mA, Mejora, SOP de 8 pines

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Código RS:
235-2675
Nº ref. fabric.:
R6000ENHTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

500mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.8Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.3nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.75 mm

Longitud

5.2mm

Altura

6.3mm

Estándar de automoción

No

La serie ROHM R6xxxENx son productos de bajo nivel de ruido, MOSFET de súper unión, que hacen hincapié en la facilidad de uso. Esta serie de productos alcanza un rendimiento superior para aplicaciones sensibles al ruido para reducir el ruido, como equipos de audio e iluminación.

Baja resistencia

Velocidad de conmutación rápida

Fácil de usar en paralelo

Chapado sin plomo

En conformidad con RoHS

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