MOSFET, N-Canal ROHM R6000ENHTB1, VDSS 600 V, ID 500 mA, Mejora, SOP de 8 pines

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Código RS:
235-2675
Nº ref. fabric.:
R6000ENHTB1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

600 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

500 mA

Modo de canal

Mejora

Encapsulado

SOP

Número de pines

8

Estándar de automoción

No

Altura

6.3 mm

Longitud

5.2 mm

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

8.8 Ω

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

2 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie

Certificaciones y estándares

No

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

4.3 nC

Anchura

1.75 mm

The ROHM R6xxxENx series are low-noise products, super Junction MOSFET, that place an emphasis on ease-of-use. This series products achieve superior performance for noise-sensitive applications to reduce noise, such as audio and lighting equipment.

Low on-resistance

Fast switching speed

Parallel use is easy

Pb-free plating

RoHS compliant

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