MOSFET, Tipo N-Canal ROHM R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
235-2693
Nº ref. fabric.:
R6511END3TL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

32nC

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2.4 mm

Longitud

6.4mm

Estándar de automoción

No

La serie ROHM R6xxxENx son productos de bajo nivel de ruido, MOSFET de súper unión, que hacen hincapié en la facilidad de uso. Esta serie de productos alcanza un rendimiento superior para aplicaciones sensibles al ruido para reducir el ruido, como equipos de audio e iluminación.

Baja resistencia

Velocidad de conmutación rápida

Fácil de usar en paralelo

Chapado sin plomo

En conformidad con RoHS

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