MOSFET ROHM R6511END3TL1, VDSS 650 V, ID 11 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

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Código RS:
235-2693
Nº ref. fabric.:
R6511END3TL1
Fabricante:
ROHM
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Marca

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

0,4 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Número de Elementos por Chip

1

La serie ROHM R6xxxENx son productos de bajo nivel de ruido, MOSFET de súper unión, que hacen hincapié en la facilidad de uso. Esta serie de productos alcanza un rendimiento superior para aplicaciones sensibles al ruido para reducir el ruido, como equipos de audio e iluminación.

Baja resistencia

Velocidad de conmutación rápida

Fácil de usar en paralelo

Chapado sin plomo

En conformidad con RoHS

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