Transistor MOSFET Infineon ISC030N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 179 A, TDSON de 8 pines

Código RS:: 235-4866
Nº ref. fabric.:: ISC030N10NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Transistor MOSFET Infineon ISC030N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 179 A, TDSON de 8 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 5000)

1,473 €

(exc. IVA)

1,782 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
5000 +	1,473 €	7.365,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 235-4866
Nº ref. fabric.:: ISC030N10NM6ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - ISC030N10NM6ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El MOSFET de potencia industrial OptiMOS™ 6 100V de Infineon está diseñado para aplicaciones de frecuencia de conmutación alta como fuentes de alimentación de servidores y telecomunicaciones, pero también es la elección ideal para otras aplicaciones como energía solar, herramientas eléctricas y drones. En comparación con los productos alternativos, la tecnología de oblea fina líder de Infineon está permitiendo importantes beneficios de rendimiento.

Carga de recuperación inversa más baja y suave
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Potencia nominal de avalancha alta
En conformidad con RoHS
Bajas pérdidas de conducción
Pérdidas de conmutación bajas
Respetuosa con el medio ambiente

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	179 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	100 V
Tipo de Encapsulado	TDSON
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Número de Elementos por Chip	1

Transistor MOSFET Infineon ISC030N10NM6ATMA1, VDSS 100 V, ID 179 A, TDSON de 8 pines

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