MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP150N10F7AG, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 235-5446
- Nº ref. fabric.:
- STP150N10F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
124,20 €
(exc. IVA)
150,30 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Agotado temporalmente
- Disponible(s) 450 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 2,484 € | 124,20 € |
| 250 - 450 | 2,422 € | 121,10 € |
| 500 + | 2,355 € | 117,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 235-5446
- Nº ref. fabric.:
- STP150N10F7AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 110A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.2mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 127nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 110A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.2mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 127nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N STMicroelectronics utiliza tecnología STripFET F7 con una estructura de puerta de zanja mejorada que proporciona una resistencia de estado de conexión muy baja, al tiempo que reduce la capacitancia interna y la carga de puerta para una conmutación más rápida y eficiente.
Temperatura de unión de 175 °C.
Nivel estándar VGS(TH)
Diseñado para aplicaciones de automoción
100 % de avalancha nominal
Aplicaciones
Aplicaciones de conmutación
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 800 V TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 55 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines