MOSFET, N-Canal Toshiba SSM6N7002KFU,LF(T, VDSS 60 V, ID 300 mA, US6 de 6 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
236-3582
Nº ref. fabric.:
SSM6N7002KFU,LF(T
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

US6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.2mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.39nC

Tensión directa Vf

-0.79V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.1mm

Anchura

2mm

Altura

900μm

Estándar de automoción

No

El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo MOS de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

Rango de temperatura de almacenamiento: −55 a 150 °C.

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