Nº ref. fabric.

MOSFET, N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 300 mA, US6 de 6 pines

Código RS:: 236-3581
Nº ref. fabric.:: SSM6N7002KFU,LF(T
Fabricante:: Toshiba

MOSFET, N-Canal Toshiba, VDSS 60 V, ID 300 mA, US6 de 6 pines

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Código RS:: 236-3581
Nº ref. fabric.:: SSM6N7002KFU,LF(T
Fabricante:: Toshiba

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Toshiba
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	300mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Encapsulado	US6
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.2mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.39nC
	Disipación de potencia máxima Pd	500mW
	Tensión directa Vf	-0.79V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Altura	900μm
	Longitud	2.1mm
	Certificaciones y estándares	No
	Anchura	2mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Toshiba
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 300mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Encapsulado US6
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.2mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.39nC
	Disipación de potencia máxima Pd 500mW
	Tensión directa Vf -0.79V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Altura 900μm
	Longitud 2.1mm
	Certificaciones y estándares No
	Anchura 2mm
	Estándar de automoción No

Datasheet - SSM6N7002KFU,LF(T

El transistor de efecto de campo Toshiba compuesto de material de silicio y con tipo MOS de canal N. Se utiliza principalmente en aplicaciones de conmutación de alta velocidad.

Rango de temperatura de almacenamiento: −55 a 150 °C.

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