MOSFET Toshiba, N-Canal, VDSS 60 V, ID 300 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 171-2410
- Nº ref. fabric.:
- SSM6N7002KFU
- Fabricante:
- Toshiba
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- Código RS:
- 171-2410
- Nº ref. fabric.:
- SSM6N7002KFU
- Fabricante:
- Toshiba
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | US | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.75Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.39nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 150°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 500mW | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | -0.79V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2mm | |
| Altura | 900μm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 1.25mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado US | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.75Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.39nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 150°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 500mW | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf -0.79V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2mm | ||
Altura 900μm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 1.25mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- TH
Conmutación de alta velocidad
Resistencia de conexión de drenador-fuente baja
RDS(ON) = 1,05 Ω (típ.) (a VGS = 10 V)
RDS(ON) = 1,15 Ω (típ.) (a VGS = 5,0 V)
RDS(ON) = 1,2 Ω (típ.) (a VGS = 4,5 V)
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