MOSFET Toshiba, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 300 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
171-2410
Nº ref. fabric.:
SSM6N7002KFU
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.75Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-0.79V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.39nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.9mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
TH
Conmutación de alta velocidad

Resistencia de conexión de drenador-fuente baja

RDS(ON) = 1,05 Ω (típ.) (a VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (típ.) (a VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (típ.) (a VGS = 4,5 V)

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