MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 800 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble

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Código RS:
222-2841
Nº ref. fabric.:
DMN3401LDWQ-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

800mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

US

Serie

DMN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.4Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.35W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción. Está calificado para AEC-Q101, y es compatible con PPAP.

MOSFET doble de canal N

Baja resistencia

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Puerta protegida contra ESD

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