MOSFET DiodesZetex, N-Canal DMN3401LDW-7, VDSS 30 V, ID 800 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
206-0084
Nº ref. fabric.:
DMN3401LDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

800mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

DMN3401

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

700mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

0.35W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.3mm

Altura

950μm

Longitud

2.15mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de modo de mejora de canal N doble DiodesZetex 30V está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 20 V con disipación de potencia térmica de 0,29 W.

Baja resistencia

Baja capacitancia de entrada

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