MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 800 mA, US, Mejora de 6 pines, 2, config. Doble

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Código RS:
206-0085
Nº ref. fabric.:
DMN3401LDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

800mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

US

Serie

DMN3401

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

700mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

0.35W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.5nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Longitud

2.15mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

1.3 mm

Altura

0.95mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de modo de mejora de canal N doble DiodesZetex 30V está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión y mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia. Su tensión de fuente de puerta es de 20 V con disipación de potencia térmica de 0,29 W.

Baja resistencia

Baja capacitancia de entrada

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