Nº ref. fabric.

MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 261 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble

Código RS:: 222-2843
Nº ref. fabric.:: DMN62D4LDW-7
Fabricante:: DiodesZetex

MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 261 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

129,00 €

(exc. IVA)

156,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Agotado temporalmente

Envío desde el 31 de diciembre de 2026

¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
3000 +	0,043 €	129,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-2843
Nº ref. fabric.:: DMN62D4LDW-7
Fabricante:: DiodesZetex

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	261mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	60V
	Serie	DMN
	Encapsulado	US
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	3Ω
	Modo de canal	Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	0.51nC
	Tensión directa Vf	0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd	0.45W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Configuración de transistor	Doble
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 261mA
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V
	Serie DMN
	Encapsulado US
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω
	Modo de canal Mejora
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.51nC
	Tensión directa Vf 0.8V
	Disipación de potencia máxima Pd 0.45W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Configuración de transistor Doble
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Datasheet - DMN62D4LDW-7

El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.

MOSFET doble de canal N

Baja resistencia

Baja tensión umbral de compuerta

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.