MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 261 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble

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Código RS:
222-2843
Nº ref. fabric.:
DMN62D4LDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

261mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

US

Serie

DMN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

0.45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.

MOSFET doble de canal N

Baja resistencia

Baja tensión umbral de compuerta

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

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