MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 261 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

129,00 €

(exc. IVA)

156,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 17 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,043 €129,00 €

*precio indicativo

Código RS:
222-2843
Nº ref. fabric.:
DMN62D4LDW-7
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

261mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

DMN

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.8V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.45W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.51nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.

MOSFET doble de canal N

Baja resistencia

Baja tensión umbral de compuerta

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Enlaces relacionados