MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal 2N7002DWK-7, VDSS 60 V, ID 261 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2692
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002DWK-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 222-2692
- Nº ref. fabric.:
- 2N7002DWK-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 261mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | 2N7002 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.51nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.33W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 261mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado US | ||
Serie 2N7002 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.51nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.33W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
El MOSFET de canal N doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Baja resistencia
Baja tensión umbral de compuerta
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Fuga de entrada/salida baja
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