MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN62D4LDW-7, VDSS 60 V, ID 261 mA, US, Mejora de 6 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2844
- Nº ref. fabric.:
- DMN62D4LDW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,167 € | 8,35 € |
| 100 - 200 | 0,081 € | 4,05 € |
| 250 - 450 | 0,079 € | 3,95 € |
| 500 - 950 | 0,075 € | 3,75 € |
| 1000 + | 0,073 € | 3,65 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-2844
- Nº ref. fabric.:
- DMN62D4LDW-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 261mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | DMN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.51nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.45W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 261mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado US | ||
Serie DMN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.51nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.45W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
MOSFET doble de canal N
Baja resistencia
Baja tensión umbral de compuerta
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
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