MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMN3190LDWQ-7, VDSS 30 V, ID 1 A, US, Mejora de 6 pines, 1, config. Doble

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Código RS:
213-9186
Nº ref. fabric.:
DMN3190LDWQ-7
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

US

Serie

DMN3190LDWQ

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.19Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.9nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

0.4W

Configuración de transistor

Doble

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

2.15mm

Certificaciones y estándares

UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020

Anchura

2.1 mm

Altura

0.95mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET DiodesZetex serie DMN3190LDWQ está diseñado para cumplir los exigentes requisitos de aplicaciones de automoción.

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

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