MOSFET de potencia, N-Canal Vishay SIHA15N80AEF-GE3, VDSS 850 V, ID 6 A, Reducción, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 239-8619
- Nº ref. fabric.:
- SIHA15N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 239-8619
- Nº ref. fabric.:
- SIHA15N80AEF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 850V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.35Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 54nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 850V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.35Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 54nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia serie EF de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 850 V, corriente de drenaje continua de 6 A - SIHA15N80AEF-GE3
Este MOSFET de potencia es un dispositivo semiconductor de canal N de alta tensión diseñado para tareas de conmutación y gestión de potencia en entornos exigentes. Se suministra en un encapsulado TO-220 para montaje en superficie y está diseñado para aplicaciones que requieren una capacidad de alta tensión robusta, un comportamiento de puerta controlado y un funcionamiento en un amplio rango de temperaturas.
Características y ventajas:
• La tensión de drenaje de 850 V permite aplicaciones de conmutación de alta tensión
• La corriente de drenaje continua de 6 A admite cargas de potencia media
• La Rds(on) de 0.35 Ω minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 33 W permite un manejo térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 54 nC permite un diseño de accionamiento de puerta predecible
• El valor nominal de la puerta de ±30 V protege contra la tensión excesiva de la puerta
• La corriente de drenaje continua de 6 A admite cargas de potencia media
• La Rds(on) de 0.35 Ω minimiza las pérdidas de conducción bajo carga
• La disipación de potencia de 33 W permite un manejo térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 54 nC permite un diseño de accionamiento de puerta predecible
• El valor nominal de la puerta de ±30 V protege contra la tensión excesiva de la puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores de potencia industriales de alta tensión
• Ideal para electrónica de automoción que cumple las necesidades AEC‐Q101
• Se utiliza con fuentes de alimentación de modo conmutado e inversores
• Puede utilizarse para la conmutación frontal del accionamiento del motor
• Apto para fuentes de alimentación auxiliares en entornos exigentes
• Ideal para electrónica de automoción que cumple las necesidades AEC‐Q101
• Se utiliza con fuentes de alimentación de modo conmutado e inversores
• Puede utilizarse para la conmutación frontal del accionamiento del motor
• Apto para fuentes de alimentación auxiliares en entornos exigentes
¿En qué intervalo de temperatura puede funcionar de manera fiable?
Está especificado para funcionar de -55 °C hasta +150 °C para una amplia tolerancia ambiental y de unión.
¿Cómo influye el diseño de la unidad de puerta el dispositivo?
La carga de puerta típica de 54 nC define los requisitos de energía de puerta e informa sobre la corriente del controlador y las compensaciones de velocidad de conmutación.
¿Qué consideraciones de embalaje y montaje se aplican?
El encapsulado TO-220 se suministra para montaje en superficie y ofrece opciones de conexión térmica cómodas para disipación térmica.
¿Qué polaridad y comportamiento de canal deben esperar los diseñadores?
El dispositivo es un transistor de modo de agotamiento de canal N, lo que requiere estrategias de polarización y control adecuadas en los diseños de circuitos.
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