MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R0-55YLHX, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK56E de 4 pines

Código RS:: 240-1975
Nº ref. fabric.:: PSMN2R0-55YLHX
Fabricante:: Nexperia

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R0-55YLHX, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK56E de 4 pines

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Unidad(es)	Por unidad	Por Paquete*
2 - 48	4,375 €	8,75 €
50 - 98	3,935 €	7,87 €
100 - 248	3,22 €	6,44 €
250 - 498	3,16 €	6,32 €
500 +	2,755 €	5,51 €

*precio indicativo

Código RS:: 240-1975
Nº ref. fabric.:: PSMN2R0-55YLHX
Fabricante:: Nexperia

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Nexperia
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	10.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Encapsulado	LFPAK56E
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	13.6mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Disipación de potencia máxima Pd	12.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	No
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Nexperia
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Encapsulado LFPAK56E
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 4
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Disipación de potencia máxima Pd 12.5W
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares No
	Estándar de automoción No

Datasheet - PSMN2R0-55YLHX

El MOSFET de modo de mejora de canal N Nexperia se encuentra en un encapsulado LFPAK56E. El ASFET es especialmente adecuado para aplicaciones alimentadas por batería de 36 V que requieren una alta capacidad de avalancha, rendimiento de modo lineal, uso en altas frecuencias de conmutación y también A seguro

Calificación de 175 °C

Avalancha nominal, 100 % probado

Bajo QG, QGD y QOSS para alta eficiencia, especialmente en frecuencias de conmutación más altas

Conmutación superrápida con recuperación de diodo de cuerpo suave para oscilación y oscilación baja, recomendada para diseños de EMI baja

Tecnología única “Schottky” para rendimiento de conmutación similar a Schottky y bajo nivel de fuga IDSS

Valor nominal VGS(th) estrecho para facilitar la conexión en paralelo y mejorar el uso compartido de corriente

Características de área de funcionamiento segura/modo lineal muy resistentes para una conmutación segura y fiable en condiciones de alta corriente

MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R0-55YLHX, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK56E de 4 pines

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