MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R5-50YLHX, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK56E de 4 pines

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Código RS:
240-1973
Nº ref. fabric.:
PSMN1R5-50YLHX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

LFPAK56E

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

12.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET Nexperia se encuentra en un encapsulado LFPAK56E con corriente continua de 200 A, accionamiento de puerta de nivel lógico y modo de mejora de canal N. El ASFET es especialmente adecuado para aplicaciones alimentadas por batería de 36 V que requieren una alta capacidad de avalancha, modo lineal PER

Bastidor de cable expuesto de baja tensión de LFPAK56E mm para máxima fiabilidad, soldadura óptima e inspección sencilla de juntas de soldadura

Pinza de cobre y matriz de soldadura para baja inductancia y resistencia de encapsulado, y alta capacidad de ID (máx.)

Calificación de 175 °C

Avalancha nominal, 100 % probado

Bajo QG, QGD y QOSS para alta eficiencia, especialmente en frecuencias de conmutación más altas

Conmutación superrápida con recuperación de diodo de cuerpo suave para oscilación y oscilación baja, recomendada para diseños de EMI baja

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