MOSFET Nexperia PSMN1R5-50YLHX, VDSS 50 V, ID 200 A, LFPAK56E de 4 pines

El MOSFET Nexperia se encuentra en un encapsulado LFPAK56E con corriente continua de 200 A, accionamiento de puerta de nivel lógico y modo de mejora de canal N. El ASFET es especialmente adecuado para aplicaciones alimentadas por batería de 36 V que requieren una alta capacidad de avalancha, modo lineal PER

Bastidor de cable expuesto de baja tensión de LFPAK56E mm para máxima fiabilidad, soldadura óptima e inspección sencilla de juntas de soldadura
Pinza de cobre y matriz de soldadura para baja inductancia y resistencia de encapsulado, y alta capacidad de ID (máx.)
Calificación de 175 °C
Avalancha nominal, 100 % probado
Bajo QG, QGD y QOSS para alta eficiencia, especialmente en frecuencias de conmutación más altas
Conmutación superrápida con recuperación de diodo de cuerpo suave para oscilación y oscilación baja, recomendada para diseños de EMI baja