MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R8-100YSEX, VDSS 30 V, ID 10.3 A, LFPAK56E de 4 pines
- Código RS:
- 240-1977
- Nº ref. fabric.:
- PSMN4R8-100YSEX
- Fabricante:
- Nexperia
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|---|---|---|
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*precio indicativo
- Código RS:
- 240-1977
- Nº ref. fabric.:
- PSMN4R8-100YSEX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | LFPAK56E | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13.6mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 12.5W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado LFPAK56E | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13.6mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 12.5W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal N Nexperia se encuentra en un encapsulado LFPAK56E.
Área de funcionamiento seguro (SOA) completamente optimizada para un funcionamiento de modo lineal superior
RDSon bajo para bajas pérdidas de conducción de 1 I²R
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