MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 60 V, ID 42 A, Mejora, MLPAK33 de 8 pines

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Código RS:
240-1980
Nº ref. fabric.:
PXN012-60QLJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

42A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

MLPAK33

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

13.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

12.5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de uso general Nexperia tiene una corriente nominal de 42 A. El MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N de nivel lógico se encuentra en un encapsulado MLPAK33.

Compatibilidad de nivel lógico

Tecnología MOSFET Trench

Encapsulado térmicamente eficiente en un factor de forma pequeño (tamaño de 3,3 mm x 3,3 mm)

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