MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 55 A, PQFN de 6 pines
- Código RS:
- 240-6378
- Nº ref. fabric.:
- ISK036N03LM5
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 240-6378
- Nº ref. fabric.:
- ISK036N03LM5
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | ISK | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Tensión directa Vf | 0.81V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie ISK | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Tensión directa Vf 0.81V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM 5 de 30 V, 3,6 mΩ, factor de forma más pequeño en encapsulado PQFN 2x2. Con la nueva familia de productos BIC OptiMOSTM 5 en 25 V y 30 V, Infineon ofrece la mejor solución de su clase para eficiencia en un factor de forma pequeño, lo que la convierte en la solución perfecta para aplicaciones como carga inalámbrica, interruptores de carga y aplicaciones dc de baja potencia. El encapsulado PQFN 2x2 pequeño de 4 mm2, combinado con un excelente rendimiento eléctrico, contribuye a mejorar el factor de forma en aplicaciones finales, con un RDS bajo de 3,6 mΩ.
Optimizado para mayor rendimiento y densidad de potencia
100 % probado por avalancha
Resistencia térmica superior para encapsulado 2x2
canal N
cable chapado sin plomo
Conforme a RoHS
sin halógenos conforme a IEC61249-2-21