MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISK036N03LM5, VDSS 25 V, ID 55 A, PQFN de 6 pines
- Código RS:
- 240-6379
- Nº ref. fabric.:
- ISK036N03LM5
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 0,756 € | 3,78 € |
| 25 - 45 | 0,72 € | 3,60 € |
| 50 - 120 | 0,65 € | 3,25 € |
| 125 - 245 | 0,58 € | 2,90 € |
| 250 + | 0,552 € | 2,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 240-6379
- Nº ref. fabric.:
- ISK036N03LM5
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 55A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | ISK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 0.81V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 171W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 55A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie ISK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 0.81V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 171W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM 5 de 30 V, 3,6 mΩ, factor de forma más pequeño en encapsulado PQFN 2x2. Con la nueva familia de productos BIC OptiMOSTM 5 en 25 V y 30 V, Infineon ofrece la mejor solución de su clase para eficiencia en un factor de forma pequeño, lo que la convierte en la solución perfecta para aplicaciones como carga inalámbrica, interruptores de carga y aplicaciones dc de baja potencia. El encapsulado PQFN 2x2 pequeño de 4 mm2, combinado con un excelente rendimiento eléctrico, contribuye a mejorar el factor de forma en aplicaciones finales, con un RDS bajo de 3,6 mΩ.
Optimizado para mayor rendimiento y densidad de potencia
100 % probado por avalancha
Resistencia térmica superior para encapsulado 2x2
canal N
cable chapado sin plomo
Conforme a RoHS
sin halógenos conforme a IEC61249-2-21
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