MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISK036N03LM5, VDSS 25 V, ID 55 A, PQFN de 6 pines

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Código RS:
240-6379
Nº ref. fabric.:
ISK036N03LM5
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

55A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

25V

Encapsulado

PQFN

Serie

ISK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Tensión directa Vf

0.81V

Disipación de potencia máxima Pd

171W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia Infineon OptiMOSTM 5 de 30 V, 3,6 mΩ, factor de forma más pequeño en encapsulado PQFN 2x2. Con la nueva familia de productos BIC OptiMOSTM 5 en 25 V y 30 V, Infineon ofrece la mejor solución de su clase para eficiencia en un factor de forma pequeño, lo que la convierte en la solución perfecta para aplicaciones como carga inalámbrica, interruptores de carga y aplicaciones dc de baja potencia. El encapsulado PQFN 2x2 pequeño de 4 mm2, combinado con un excelente rendimiento eléctrico, contribuye a mejorar el factor de forma en aplicaciones finales, con un RDS bajo de 3,6 mΩ.

Optimizado para mayor rendimiento y densidad de potencia

100 % probado por avalancha

Resistencia térmica superior para encapsulado 2x2

canal N

cable chapado sin plomo

Conforme a RoHS

sin halógenos conforme a IEC61249-2-21

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