MOSFET Infineon IRFH5250TRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 4 pines

Código RS:: 222-4745
Nº ref. fabric.:: IRFH5250TRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFH5250TRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 4 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,334 €

(exc. IVA)

1,614 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,334 €	13,34 €
50 - 90	1,268 €	12,68 €
100 - 240	1,215 €	12,15 €
250 - 490	1,161 €	11,61 €
500 +	1,081 €	10,81 €

*precio indicativo

Código RS:: 222-4745
Nº ref. fabric.:: IRFH5250TRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IRFH5250TRPBF

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.

RDSon bajo (<1,15 mΩ)
Baja resistencia térmica a PCB (<0,8 °C/W)
Probado 100 % RG
Perfil bajo (<0,9 mm)

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	25 V
Tipo de Encapsulado	PQFN 5 x 6
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,00115 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.35V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Silicio

MOSFET Infineon IRFH5250TRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 4 pines

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