MOSFET Infineon IRFH5250DTRPBF, VDSS 25 V, ID 100 A, PQFN 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 168-5991
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5250DTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- 168-5991
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- IRFH5250DTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 25 V | |
| Tipo de Encapsulado | PQFN 5 x 6 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2,2 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.35V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 1.35V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 156 W | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Longitud | 6mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 83 nC a 10 V | |
| Ancho | 5mm | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Altura | 0.85mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Tensión de diodo directa | 1V | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 100 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 25 V | ||
Tipo de Encapsulado PQFN 5 x 6 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 2,2 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 2.35V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 1.35V | ||
Disipación de Potencia Máxima 156 W | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Longitud 6mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 83 nC a 10 V | ||
Ancho 5mm | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Altura 0.85mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
Tensión de diodo directa 1V | ||
- COO (País de Origen):
- CN
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