- Código RS:
- 168-5991
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5250DTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
999999999 Disponible para entrega en 24 horas
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 4000)
0,893 €
(exc. IVA)
1,081 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
---|---|---|
4000 + | 0,893 € | 3.572,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 168-5991
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5250DTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- CN
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N, 12 V a 25 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 25 V |
Tipo de Encapsulado | PQFN 5 x 6 |
Serie | HEXFET |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 8 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2,2 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2.35V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1.35V |
Disipación de Potencia Máxima | 156 W |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 83 nC a 10 V |
Longitud | 6mm |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Ancho | 5mm |
Tensión de diodo directa | 1V |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
Altura | 0.85mm |
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